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据说十年的投资是8000亿?紫光集团加快自主开发动态随机存取存储器

据《经济日报》报道,紫光集团动态随机存取存储器业务集团CEO高启泉(Gao Qiquan)在返回中国台湾的中秋节期间接受采访时表示,紫光集团已经决定自主开发动态随机存取存储器,大型基金和重庆工业基金都将进行投资。最初的研发中心将设在武汉,在取得研发成果之前,不会在重庆设立生产。

他强调人才是最大的挑战。

他透露,该公司正在成立一个研发团队,希望在五到十年内看到研发成果。

然而,高启泉拒绝透露更多细节,包括新公司何时成立、研发团队和投资额。

同时,高启泉表示,紫光集团未来也将遵循自主研发存储闪存(NANDFlash)的模式。

刚刚放入动态随机存取存储器领域。目前,相关工艺专利掌握在三星、SK Hynix和美光手中。紫光集团要想在技术上独立,就必须投入更多的人力和时间。

对此,他也说,目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国大陆厂商,而且中美贸易战还在浪头上,美光也不会和紫光结盟,因此中国要规避三大厂的专利,不是短时间可以达成的,得靠汇集更多优秀人才,希望五到十年能看到成果。对此,他还表示,韩国和美国目前不愿意向中国内地制造商发放技术许可。此外,中美贸易战仍在升温,美光的公司不会与紫光结盟。因此,中国不可能在短时间内逃避三大工厂的专利。它将不得不汇集更多杰出的人才,并希望在五到十年内看到成效。

此前,8月底,紫光集团宣布已与重庆市政府签署投资协议,在重庆建设动态随机存取存储器业务集团总部和存储芯片厂。预计今年年底开始建设,并计划在2021年正式大规模生产内存。

换句话说,尽管记忆是中国集成电路产业的“短板”,但中国现在正坚持大力推进这一关键领域。

至于紫光集团积极推动DRAM自主研发,也有消息透露,紫光集团已经计划在未来十年投资8000亿元人民币加快DRAM生产。

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